Samsung вложит 34 млрд долларов в производство памяти HBM в Южной Корее

Samsung Electronics начала строительство нового предприятия по передовой упаковке полупроводников на площадке в Оньяне (город Асан, провинция Чхунчхон, Южная Корея). Суммарные вложения в проект составят около 46 трлн вон — примерно 34 млрд долларов. Новая линия станет пятой по выпуску памяти HBM на этом кампусе.

Что именно строит Samsung

Заявленный бюджет делится на две части: 6 трлн вон пойдут на строительство производственных корпусов, ещё 40 трлн — на технологическое оборудование, которое будут устанавливать поэтапно. Запуск линии запланирован на июнь 2028 года — примерно на год раньше первоначального графика.

  • Трёхэтажное здание с чистыми помещениями общей площадью около 31 000 м².
  • После расширения площадь всего кампуса вырастет с 270 000 до 420 000 м².
  • По данным агентства Yonhap, проект создаст порядка 700 рабочих мест.

В церемонии начала строительства 12 ноября участвовали председатель совета директоров Samsung Electronics Ли Чжэ Ён и президент Южной Кореи Ли Чжэ Мён.

Зачем нужна упаковка HBM

HBM (High Bandwidth Memory) — память с высокой пропускной способностью, которую используют в современных ИИ-ускорителях. В отличие от обычной DDR5, в HBM несколько кристаллов DRAM укладываются друг на друга и соединяются вертикальными контактами, проходящими сквозь кремний. Полученную сборку объединяют с процессором или ускорителем в одном корпусе. Такая конструкция даёт широкую шину обмена данными, но требует исключительно точной сборки и контроля качества: дефект одного контакта способен вывести из строя весь модуль.

Именно упаковка стала одним из ограничителей выпуска готовых модулей HBM, поэтому компания расширяет не только производство самих микросхем, но и мощности для их последующей сборки и тестирования.

Сроки и конкуренция

Июнь 2028 года — это срок начала работы линии, а не обещание немедленного выхода на максимальные объёмы. По данным TrendForce, массовое производство на площадке может стартовать лишь в мае 2029 года; Samsung эту дату официально не подтверждала. На рынке HBM компания конкурирует с SK hynix и Micron, а реальное влияние инвестиций на её позиции станет понятно только после запуска линий и получения заказов.

Проект в Оньяне — часть более масштабной программы: в общей сложности Samsung намерена вложить в предприятия в провинции Чхунчхон 144 трлн вон (около 108 млрд долларов), включая выпуск полупроводников, дисплеев, аккумуляторов и компонентов для ИИ-серверов.

Частые вопросы

Сколько Samsung вложит в новый комплекс?

Около 46 трлн вон — примерно 34 млрд долларов: 6 трлн вон на строительство корпусов и 40 трлн на оборудование.

Когда запустят новую линию?

Июнь 2028 года, примерно на год раньше первоначального графика. Массовое производство, по данным TrendForce, может начаться в мае 2029 года.

Что такое HBM и зачем она нужна?

Память с высокой пропускной способностью для ИИ-ускорителей: несколько кристаллов DRAM складываются друг на друга и соединяются вертикальными контактами сквозь кремний.

С кем конкурирует Samsung на рынке HBM?

С компаниями SK hynix и Micron.

Источники: ixbt.com, 3dnews.ru

Рекомендованные статьи